文献
J-GLOBAL ID:200902166715284437
整理番号:93A0740227
気体ソースMBE法によって成長させたInGaP中の電子捕獲中心
Electron traps in InGaP grown by gas source molecular beam epitaxy.
著者 (7件):
KIM H S
(Colorado State Univ., Colorado)
,
HAFICH M J
(Colorado State Univ., Colorado)
,
PATRIZI G A
(Colorado State Univ., Colorado)
,
NANDA A
(Colorado State Univ., Colorado)
,
VOGT T J
(Colorado State Univ., Colorado)
,
WOODS L M
(Colorado State Univ., Colorado)
,
ROBINSON G Y
(Colorado State Univ., Colorado)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
74
号:
2
ページ:
1431-1433
発行年:
1993年07月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)