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文献
J-GLOBAL ID：200902166719879869
整理番号：01A0001623
高性能完全選択的二重リセスInAlAs/InGaAs/InP HEMT
High Performance Fully Selective Double Recess InAlAs/InGaAs/InP HEMT’s.
WANG S C
(Lockheed Martin Co., NH, USA)
,
LIU J S
(Lockheed Martin Co., NH, USA)
,
HWANG K C
(Lockheed Martin Co., NH, USA)
,
KONG W
(Lockheed Martin Co., NH, USA)
,
TU D W
(Lockheed Martin Co., NH, USA)
,
HO P
(Lockheed Martin Co., NH, USA)
,
MOHNKERN L
(Lockheed Martin Co., NH, USA)
,
NICHOLS K
(Lockheed Martin Co., NH, USA)
,
CHAO P C
(Lockheed Martin Co., NH, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 21 号： 7 ページ： 335-337 発行年： 2000年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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