文献
J-GLOBAL ID:200902166776870568
整理番号:93A0984471
Si金属-酸化膜-半導体デバイス特性のモンテカルロシミュレーションと実験結果との比較による衝突イオン化速度の逆模型
Inverse modeling of impact ionization rate through comparison of Monte Carlo simulation of Si metal-oxide-semiconductor device characteristics and experimental results.
著者 (3件):
IMANAGA S
(Sony Corp. Research Center, Kanagawa-ken, JPN)
,
HANE K
(Sony Corp. Research Center, Kanagawa-ken, JPN)
,
HAYAFUJI Y
(Sony Corp. Research Center, Kanagawa-ken, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
74
号:
9
ページ:
5859-5866
発行年:
1993年11月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)