文献
J-GLOBAL ID:200902166865703411
整理番号:93A0987327
有機金属化学蒸着でSi上に成長させたGaPの転位発生機構
Dislocation generation mechanisms for GaP on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition.
著者 (3件):
SOGA T
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
UMENO M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
18
ページ:
2543-2545
発行年:
1993年11月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)