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文献
J-GLOBAL ID：200902166929331840
整理番号：01A0403636
極微構造集積デバイス・プロセス技術 デバイス特性によるSiナノ細線の評価と自己抑止酸化による細線幅の改善
Supermicrostructure Integrated Devices and Process Technologies. Evaluation of Si Nanowires through Device Characteristics and Improvement in Uniformity of Si Nanowire Width Using Self-limiting Oxidation.
堤利幸
(電総研)
,
鈴木英一
(電総研)
,
石井賢一
(電総研)
,
金丸正剛
(電総研)
,
広島洋
(電総研)
,
冨沢一隆
(明治大)
資料名：
電気学会論文誌 C
(IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 121-C 号： 3 ページ： 515-523 発行年： 2001年03月01日
JST資料番号： S0810A ISSN： 0385-4221 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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