文献
J-GLOBAL ID:200902166965368393
整理番号:93A0565020
(0001)サファイア上にMOVPE成長させたGaNの表面形態
Surface morphology of MOVPE-grown GaN on(0001) sapphire.
著者 (1件):
SASAKI T
(NTT Opto-Electronics Lab., Ibaraki-ken, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
129
号:
1/2
ページ:
81-90
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)