文献
J-GLOBAL ID:200902166998142463
整理番号:95A1000339
超LSI-DRAM用の極端に薄い(Ba,Sr)TiO3薄膜の蒸着
Deposition of extremely thin (Ba,Sr)TiO3 thin films for ultra-large-scale integrated dynamic random access memory application.
著者 (7件):
HWANG C S
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
PARK S O
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
CHO H-J
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
KANG C S
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
KANG H-K
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
LEE S I
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
LEE M Y
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
67
号:
19
ページ:
2819-2821
発行年:
1995年11月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)