文献
J-GLOBAL ID:200902167020814164
整理番号:94A0015847
歪みのある場合とない場合の不純物ドープSi1-xGex合金のドリフトホール移動度
Drift Hole Mobility in Strained and Unstrained Doped Si1-xGex Alloys.
著者 (6件):
MANKU T
(Univ. Waterloo, Ont., CAN)
,
MCGREGOR J M
(Univ. Waterloo, Ont., CAN)
,
NATHAN A
(Univ. Waterloo, Ont., CAN)
,
ROULSTON D J
(Univ. Waterloo, Ont., CAN)
,
NOEL J-P
(National Research Council, Ont., CAN)
,
HOUGHTON D C
(National Research Council, Ont., CAN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
40
号:
11
ページ:
1990-1996
発行年:
1993年11月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)