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文献
J-GLOBAL ID：200902167156272845
整理番号：93A0350300
パターニングした(001)基板上に分子線エピタクシー法で成長させた(111)Bマイクロファセット上のN-AlGaAs/GaAsヘテロ接合における二次元電子ガスの形成
Formation of Two-Dimensional Electron Gas in N-AlGaAs/GaAs Heterojunctions on (111)B Microfacets Grown by Molecular Beam Epitaxy on a Patterned (001) Substrate.
NAKAMURA Y
(JRDC, Tokyo)
,
TSUCHIYA M
(JRDC, Tokyo)
,
KOSHIBA S
(JRDC, Tokyo)
,
NOGE H
(JRDC, Tokyo)
,
KANO H
(JRDC, Tokyo)
,
SAKAKI H
(JRDC, Tokyo)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 32 号： 3B ページ： L383-L385 発行年： 1993年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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