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文献
J-GLOBAL ID：200902167210034564
整理番号：01A0700095
強誘電体ゲートFETメモリのための金属-強誘電体-絶縁体-半導体構造の記憶状態の保持時間の解析と改善
Analysis and Improvement of Retention Time of Memorized State of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Structure for Ferroelectric Gate FET Memory.
TAKAHASHI M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SUGIYAMA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NAKAISO T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KODAMA K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NODA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OKUYAMA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 4B ページ： 2923-2927 発行年： 2001年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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