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文献
J-GLOBAL ID：200902167223301570
整理番号：99A0442010
水素化物気相エピタクシーおよびレーザ誘起リフトオフによる大口径自立GaN基板
Large Free-Standing GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy and Laser-Induced Liftoff.
KELLY M K
(Advanced Technol. Materials, Inc., Connecticut, USA)
,
VAUDO R P
(Advanced Technol. Materials, Inc., Connecticut, USA)
,
PHANSE V M
(Advanced Technol. Materials, Inc., Connecticut, USA)
,
GOERGENS L
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
AMBACHER O
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
STUTZMANN M
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 3A ページ： L217-L219 発行年： 1999年03月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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