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文献
J-GLOBAL ID：200902167229389819
整理番号：96A0581294
P+-ポリPMOS及びn+-ポリPMOSにおけるGIDLの比較
Comparison of GIDL in p+-poly PMOS and n+-poly PMOS Devices.
LINDERT N
(Univ. California, CA, USA)
,
YOSHIDA M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
WANN C
(Univ. California, CA, USA)
,
HU C
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 17 号： 6 ページ： 285-287 発行年： 1996年06月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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