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文献
J-GLOBAL ID：200902167242949408
整理番号：95A0605170
単一Vcc高密度フラッシュメモリに対する無接触アレイにおける2重ビット分割ゲートEEPROM(DSG)セル
A Dual-bit Split-Gate EEPROM(DSG) Cell in Contactless Array for Single-Vcc High Density Flash Memories.
MA Y
(Bright Microelectronics Inc., CA, USA)
,
PANG C S
(Bright Microelectronics Inc., CA, USA)
,
CHANG K T
(Bright Microelectronics Inc., CA, USA)
,
TSAO S C
(Bright Microelectronics Inc., CA, USA)
,
FRAYER J E
(Bright Microelectronics Inc., CA, USA)
,
KIM T
(Hyundai Electronics Industries Co. Ltd., Ichon-Kun, KOR)
,
JO K
(Hyundai Electronics Industries Co. Ltd., Ichon-Kun, KOR)
,
KIM J
(Hyundai Electronics Industries Co. Ltd., Ichon-Kun, KOR)
,
PARK H
(Hyundai Electronics Industries Co. Ltd., Ichon-Kun, KOR)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1994 ページ： 57-60 発行年： 1994年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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