前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902167347898752
整理番号：01A0458388
レドックス法を用いて作製したMoチップ電界放出アレイの電界放出増強
Field-Emission Enhancement of Mo-Tip Field-Emitted Arrays Fabricated by Using a Redox Method.
LIN C M
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHANG S J
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
YOKOYAMA M
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIN I-N
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN J F
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
HUANG B R
(National Yunlin Univ. Sci. and Technol., Yunlin, TWN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 21 号： 12 ページ： 560-562 発行年： 2000年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。