文献
J-GLOBAL ID:200902167545969835
整理番号:01A0690589
InPに格子整合したIn0.53Ga0.47As/GaAs0.5Sb0.5II型多重量子井戸のエレクトロルミネセンス
Electroluminescence of In0.53Ga0.47As/GaAs0.5Sb0.5 type II multiple quantum well diodes lattice-matched to InP.
著者 (5件):
TAKASAKI H
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
KAWAMURA Y
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
KATAYAMA T
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
YAMAMOTO A
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
INOUE N
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
227/228
ページ:
294-297
発行年:
2001年07月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)