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文献
J-GLOBAL ID：200902167824318305
整理番号：00A0388942
4H-SiCのn型金属-酸化物-半導体構造中の界面状態密度の高温水素アニーリングによる減少
Reduction of interface-state density in 4H-Sic n-type metal-oxide-semiconductor structures using high-temperature hydrogen annealing.
FUKUDA K
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and R & D Assoc. Future Electron Devices, Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI S
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and R & D Assoc. Future Electron Devices, Ibaraki, JPN)
,
TANAKA T
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and R & D Assoc. Future Electron Devices, Ibaraki, JPN)
,
ARAI K
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 76 号： 12 ページ： 1585-1587 発行年： 2000年03月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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