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文献
J-GLOBAL ID：200902167860015998
整理番号：97A0772823
長波長用新材料としてのTlInGaP及びTlInGaAsのガスソースMBE成長
Gas source MBE growth of TlInGaP and TlInGaAs as new materials for long-wavelength applications.
ASAHI H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
FUSHIDA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KOH H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAMAMOTO K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASAMI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
GONDA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OE K
(NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa)
資料名：
Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
(Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
巻： 9th ページ： 448-451 発行年： 1997年
JST資料番号： W0731A ISSN： 1092-8669 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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