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文献
J-GLOBAL ID：200902167861761529
整理番号：98A0409386
不整方位Si(100)基板上に成長させたGaP層中の結晶欠陥の発生及び低減過程
Generation and suppression process of crystalline defects in GaP layers grown on misoriented Si(100) substrates.
TAKAGI Y
(Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
,
YONEZU H
(Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
,
SAMONJI K
(Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
,
TSUJI T
(Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
,
OHSHIMA N
(Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 187 号： 1 ページ： 42-50 発行年： 1998年04月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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