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文献
J-GLOBAL ID：200902167899613361
整理番号：98A0441356
ホモエピタクシー用のHVPE GaN及びAlGaN“基板”
HVPE GaN and AlGaN “Substrates” for Homoepitaxy.
MELNIK YU
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
NIKOLAEV A
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
STEPANOV S
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
KIKITINA I
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
VASSILEVSKI K
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
ANKUDINOV A
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
MUSIKHIN YU
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
DMITRIEV V
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 264/268 号： Pt.2 ページ： 1121-1124 発行年： 1998年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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