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文献
J-GLOBAL ID：200902167998654584
整理番号：01A0001625
等価酸化膜厚が5Åの高品質La2O3ゲート誘電体の電気特性
Electrical Characteristics of High Quality La2O3 Gate Dielectric with Equivalent Oxide Thickness of 5Å.
WU Y H
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
YANG M Y
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIN A
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN W J
(National Yun-Lin Polytechnic Inst., Huwei, TWN)
,
KWEI C M
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 21 号： 7 ページ： 341-343 発行年： 2000年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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