文献
J-GLOBAL ID:200902168009146202
整理番号:94A0173750
Al035Ga0.65Asにおける伝導バンドと共鳴したドナー状態の低温占有
Low-temperature occupation of a donor state resonant with the conduction band in Al0.35Ga0.65As.
著者 (7件):
BARALDI A
(Univ. Parma, Parma, ITA)
,
GOMBIA E
(Inst. Maspec-Consiglio Nazionale delle Richerche, Parma, ITA)
,
COLONNA F
(Univ. Parma, Parma, ITA)
,
MOSCA R
(Inst. Maspec-Consiglio Nazionale delle Richerche, Parma, ITA)
,
FRIGERI P
(Univ. Parma, Parma, ITA)
,
GHEZZI C
(Univ. Parma, Parma, ITA)
,
PARISINI A
(Univ. Parma, Parma, ITA)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
48
号:
24
ページ:
17835-17840
発行年:
1993年12月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)