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文献
J-GLOBAL ID：200902168108345985
整理番号：97A0505135
非対称チャネルプロファイルを有する0.1μmMOSFETのポテンシャル設計と輸送特性
Potential Design and Transport Property of 0.1-μm MOSFET with Asymmetric Channel Profile.
ODANAKA S
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
HIROKI A
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 44 号： 4 ページ： 595-600 発行年： 1997年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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