文献
J-GLOBAL ID:200902168144135822
整理番号:93A0660268
Influence of substrate temperature on the growth of InGaAs layers on (111)B GaAs.
著者 (3件):
YOO H M
(Univ. Washington, Washington)
,
OHUCHI F S
(Univ. Washington, Washington)
,
STOEBE T G
(Univ. Washington, Washington)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
11
号:
3
ページ:
542-545
発行年:
1993年05月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)