前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902168185466434
整理番号：01A0229693
MOCVD手法により成長したMgおよびSiドープGaN薄膜の光ルミネセンス特性
Photoluminescence characteristics of Mg- and Si-doped GaN thin films grown by MOCVD technique.
RAMAIAH K S
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SU Y K
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHANG S J
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
JUANG F S
(National Huwei Inst. Technol., Yunlin, TWN)
,
CHEN C H
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 220 号： 4 ページ： 405-412 発行年： 2000年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。