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文献
J-GLOBAL ID：200902168253921250
整理番号：99A0133082
連続した表面反応を用いたSi3N4膜の原子層制御成長
Atomic layer controlled growth of Si3N4 films using sequential surface reactions.
KLAUS J W
(Univ. Colorado, CO, USA)
,
OTT A W
(Univ. Colorado, CO, USA)
,
DILLON A C
(Univ. Colorado, CO, USA)
,
GEORGE S M
(Univ. Colorado, CO, USA)
資料名：
Surface Science
(Surface Science)
巻： 418 号： 1 ページ： L14-L19 発行年： 1998年11月27日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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