文献
J-GLOBAL ID:200902168258222989
整理番号:03A0179928
化学機械研磨SiGe基板上に作成された,歪みSi MOSFETの性能向上
Performance Enhancement of Strained-Si MOSFETs Fabricated on a Chemical-Mechanical-Polished SiGe Substrate.
著者 (5件):
SUGII N
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HISAMOTO D
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
WASHIO K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
YOKOYAMA N
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KIMURA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
49
号:
12
ページ:
2237-2243
発行年:
2002年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)