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文献
J-GLOBAL ID：200902168293387621
整理番号：97A0391895
PACE工程による,研磨された表面ウエイブネスの,ボンドされたウエハの最終SOI厚さ均一性への寄与
SOI Devices and Their Process Technologies. Contribution of Polished Surface Waviness to Final SOI Thickness Uniformity of Bonded Wafers through PACE Process.
MITANI K
(Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Annaka-shi, JPN)
,
NAKANO K
(Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Annaka-shi, JPN)
,
ABE T
(Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Annaka-shi, JPN)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E80-C 号： 3 ページ： 370-377 発行年： 1997年03月
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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