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文献
J-GLOBAL ID：200902168296278548
整理番号：99A0302229
低温サファイア窒化 分子ビームエピタキシャル成長GaN層の最適化の手掛かり
Low temperature sapphire nitridation: A clue to optimize GaN layers grown by molecular beam epitaxy.
WIDMANN F
(Commissariat <span style=text-decoration:overline>`a</span> l’Energie Atomique, Grenoble, FRA)
,
FEUILLET G
(Commissariat <span style=text-decoration:overline>`a</span> l’Energie Atomique, Grenoble, FRA)
,
DAUDIN B
(Commissariat <span style=text-decoration:overline>`a</span> l’Energie Atomique, Grenoble, FRA)
,
ROUVIERE J L
(Commissariat <span style=text-decoration:overline>`a</span> l’Energie Atomique, Grenoble, FRA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 85 号： 3 ページ： 1550-1555 発行年： 1999年02月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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