文献
J-GLOBAL ID:200902168380231174
整理番号:98A0750681
Si基板上に蒸着したc配向YMnO3膜の強誘電性
Ferroelectric properties of c-oriented YMnO3 films deposited on Si substrates.
著者 (3件):
YOSHIMURA T
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
FUJIMURA N
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
ITO T
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
73
号:
3
ページ:
414-416
発行年:
1998年07月20日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)