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文献
J-GLOBAL ID：200902168392351736
整理番号：01A0192142
MOSFETの統一1/f雑音モデルに関する批判的検討
Critical Discussion on Unified 1/f Noise Models for MOSFETs.
VANDAMME E P
(IMEC vzw, Leuven, BEL)
,
VANDAMME L K J
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47 号： 11 ページ： 2146-2152 発行年： 2000年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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