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文献
J-GLOBAL ID：200902168448232255
整理番号：99A1023319
Ni/Au膜の酸化によるp型GaNへの低抵抗Ohm性接触
Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN achieved by the oxidation of Ni/Au films.
HO J-K
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
JONG C-S
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHIU C C
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
HUANG C-N
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
SHIH K-K
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHEN L-C
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN F-R
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
KAI J-J
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 86 号： 8 ページ： 4491-4497 発行年： 1999年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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