文献
J-GLOBAL ID:200902168497153514
整理番号:93A0936773
Low-temperature epitaxial growth of in-situ B-doped Si1-x Gex films.
著者 (7件):
MUROTA J
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HONMA F
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YOSHIDA T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
GOTO K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MAEDA T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
AIZAWA K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAWADA Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Journal de Physique. 4. Proceedings
(Journal de Physique. 4. Proceedings)
巻:
3
号:
C3
ページ:
427-432
発行年:
1993年08月
JST資料番号:
A0743C
ISSN:
1155-4339
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
フランス (FRA)
言語:
英語 (EN)