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文献
J-GLOBAL ID：200902168516089768
整理番号：99A0442013
基本横モードで50°Cで動作可能な紫色InGaN/GaN/AlGaNベースのレーザダイオード
Violet InGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes Operable at 50°C with a Fundamental Transverse Mode.
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SENOH M
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
NAGAHAMA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
MATSUSHITA T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
KIYOKU H
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SUGIMOTO Y
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
KOZAKI T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
UMEMOTO H
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
MUKAI T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 3A ページ： L226-L229 発行年： 1999年03月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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