文献
J-GLOBAL ID:200902168607870209
整理番号:95A0447916
低エネルギーイオン支援酸化による高完全性ゲート酸化薄膜の超低温成長
Ultra Low-Temperature Growth of High-Integrity Thin Gate Oxide Films by Low-Energy Ion-Assisted Oxidation.
著者 (4件):
WATANABE J
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KAWAI Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KONISHI N
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHMI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
34
号:
2B
ページ:
900-902
発行年:
1995年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)