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文献
J-GLOBAL ID：200902168655314857
整理番号：94A0057145
改善した液相エピタクシー法により成長した高電圧ひ化ガリウムP-i-N層のプロセスと素子特性評価
Process and device characterization of high voltage gallium arsenide P-i-N layers grown by an improved liquid phase epitaxy method.
ASHKINAZI G
(Tel-Aviv Univ., Ramat-Aviv, ISR)
,
HADAS T
(Tel-Aviv Univ., Ramat-Aviv, ISR)
,
MEYLER B
(Tel-Aviv Univ., Ramat-Aviv, ISR)
,
NATHAN M
(Tel-Aviv Univ., Ramat-Aviv, ISR)
,
ZOLOTAREVSKI L
(Tel-Aviv Univ., Ramat-Aviv, ISR)
,
ZOLOTAREVSKI O
(Tel-Aviv Univ., Ramat-Aviv, ISR)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 36 号： 12 ページ： 1749-1755 発行年： 1993年12月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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