文献
J-GLOBAL ID:200902168701208897
整理番号:93A0709839
Effect of Interface Properties on the Characteristics of InP/GaInAs High Electron Mobility Transistors.
著者 (8件):
KOHL A
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
KUESTERS A M
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
MUELLER R
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
BRITTNER S
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
HEIME K
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
FINDERS J
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
KEUTER M
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
GEURTS J
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
資料名:
5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
(5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
ページ:
401-404
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19930399
ISBN:
0-7803-0994-4
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)