文献
J-GLOBAL ID:200902168724540520
整理番号:93A0984512
高分解能高スループットの半導体リソグラフィー用の広面積高密度電子ビーム源
Broad area, intense electron beam source for high resolution, high throughput semiconductor lithography.
著者 (7件):
HSU T-Y
(Univ. Southern California, California)
,
HADIZAD P
(Univ. Southern California, California)
,
LIOU R-L
(Univ. Southern California, California)
,
BAIK M
(Univ. Southern California, California)
,
ROTH G
(Univ. Southern California, California)
,
FRANK K
(Univ. Erlangen, DEU)
,
GUNDERSEN M A
(Univ. Southern California, California)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
11
号:
5
ページ:
1868-1872
発行年:
1993年09月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)