文献
J-GLOBAL ID:200902168740315404
整理番号:93A0404774
二原子半導体GaP及びPbSの重イオン誘起損傷
Heavy-ion induced damage of binary semiconductors GaP and PbS.
著者 (6件):
KARAMIAN S A
(JINR-Dubna, Moscow, SUN)
,
BUGROV V N
(JINR-Dubna, Moscow, SUN)
,
ASCHERON C
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
OTTO G
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
PLATONOV S YU
(Moscow Univ., Moscow, SUN)
,
YUMINOV O A
(Moscow Univ., Moscow, SUN)
資料名:
Radiation Effects and Defects in Solids
(Radiation Effects and Defects in Solids)
巻:
126
号:
1/4
ページ:
265-270
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
A0224B
ISSN:
1042-0150
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)