文献
J-GLOBAL ID:200902168749127449
整理番号:97A0868711
レーザMBEによるZnO薄膜成長 室温での励起子レーザ発振
Growth of ZnO Thin Film by Laser MBE: Lasing of Exciton at Room Temperature.
著者 (7件):
SEGAWA Y
(Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN)
,
OHTOMO A
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KAWASAKI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOINUMA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
TANG Z K
(Hongkong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
YU P
(Hongkong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
WONG G K L
(Hongkong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Research
(Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻:
202
号:
2
ページ:
669-672
発行年:
1997年08月01日
JST資料番号:
C0599A
ISSN:
0370-1972
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)