文献
J-GLOBAL ID:200902168762333970
整理番号:93A0384333
シリコン中の欠陥の温度に依存した電子ビーム誘起電流による研究
Temperature dependent electron beam induced current study of defects in silicon.
著者 (4件):
SEKIGUCHI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KUSANAGI S
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MIYAMURA Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUMINO K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Acta Physica Polonica. A
(Acta Physica Polonica. A)
巻:
83
号:
1
ページ:
71-79
発行年:
1993年01月
JST資料番号:
A0319A
ISSN:
0587-4246
CODEN:
APTLBW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ポーランド (POL)
言語:
英語 (EN)