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文献
J-GLOBAL ID：200902168816235847
整理番号：98A0468570
Si-金属-酸化物-半導体電子トンネル陰極の価電子帯からのトンネル放出
Tunneling emission from valence band of Si-metal-oxide-semiconductor electron tunneling cathode.
IKEDA J
(Nikon Corp., Tokyo, JPN)
,
YAMADA A
(Nikon Corp., Tokyo, JPN)
,
OKAMOTO K
(Nikon Corp., Tokyo, JPN)
,
ABE Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TAHARA K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MIMURA H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YOKOO K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 16 号： 2 ページ： 818-821 発行年： 1998年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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