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文献
J-GLOBAL ID：200902168876004267
整理番号：98A0408444
高周波バイアスプラズマ化学蒸着させた窒化けい素膜の応力評価
Stress evaluation of radio-frequency-biased plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride films.
MAEDA M
(NTT System Electroncis Lab., Kanagawa, JPN)
,
IKEDA K
(NTT System Electroncis Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 83 号： 7 ページ： 3865-3870 発行年： 1998年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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