文献
J-GLOBAL ID:200902168892915733
整理番号:94A0163678
漸近的な拡張を持つ不均一ドープシリコン領域中の少数キャリア輸送のモデル化
Modeling of Minority-Carrier Transport in Nonuniformly Doped Silicon Regions With Asymptotic Expansions.
著者 (1件):
RINALDI N
(Univ. Naples, Naples, ITA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
40
号:
12
ページ:
2307-2317
発行年:
1993年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)