文献
J-GLOBAL ID:200902168918812504
整理番号:95A0756442
高温単結晶AlNバッファ層を用いたα(6H)-SiC(0001)上に有機金属気相エピタクシーにより蒸着したGaN薄膜
GaN thin films deposited via organometallic vapor phase epitaxy on α(6H)-SiC(0001) using high-temperature monocrystalline AlN buffer layers.
著者 (6件):
WEEKS T W JR
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
BREMSER M D
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
AILEY K S
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
CARLSON E
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
PERRY W G
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
DAVIS R F
(North Carolina State Univ., North Carolina)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
67
号:
3
ページ:
401-403
発行年:
1995年07月17日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)