文献
J-GLOBAL ID:200902168932341131
整理番号:02A0326548
ナノメータ領域へのCMOS縮小に対する直列抵抗の先進的モデルと解析 パート1 理論的導出
Advanced Model and Analysis of Series Resistance for CMOS Scaling Into Nanometer Regime. Part I: Theoretical Derivation.
著者 (3件):
KIM S-D
(Univ. California, CA, USA)
,
PARK C-M
(Univ. California, CA, USA)
,
WOO J C S
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
49
号:
3
ページ:
457-466
発行年:
2002年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)