文献
J-GLOBAL ID:200902168935219019
整理番号:93A0778230
非極性GaAs基板上へのAlGaAsの有機金属気相エピタクシーにおけるドーパント移動と横方向p-n接合
Dopant migration and lateral p-n junctions in metalorganic vapor phase epitaxy of AlGaAs on nonplanar GaAs substrates.
著者 (3件):
WANG T Y
(Polaroid Corp., Massachusetts)
,
HEATH L S
(Polaroid Corp., Massachusetts)
,
STUTIUS W
(Polaroid Corp., Massachusetts)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
6
ページ:
755-757
発行年:
1993年08月09日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)