文献
J-GLOBAL ID:200902168988874329
整理番号:94A0099350
Understanding the surface chemical and structural implications of hf solution cleaning of silicon.
著者 (1件):
HIGASHI G S
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名:
Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2
(Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2)
ページ:
187-197
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19940015
ISBN:
0-306-44419-4
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)