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文献
J-GLOBAL ID：200902169091365061
整理番号：97A0374761
窒化シリコンの原子層制御成長と赤外反射吸収分光による成長のその場観察
Atomic layer controlled deposition of silicon nitride and in situ growth observation by infrared reflection absorption spectroscopy.
YOKOYAMA S
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
GOTO H
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
MIYAMOTO T
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
IKEDA N
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
SHIBAHARA K
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 112 ページ： 75-81 発行年： 1997年03月
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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