文献
J-GLOBAL ID:200902169112569975
整理番号:94A0011920
塩化物の気相エピタクシーで成長させたn型GaN Schottky障壁
Schottky barrier on n-type GaN grown by hydride vapor phase epitaxy.
著者 (4件):
HACKE P
(Nagoya Univ. School of Engineering, Nagoya, JPN)
,
DETCHPROHM T
(Nagoya Univ. School of Engineering, Nagoya, JPN)
,
HIRAMATSU K
(Nagoya Univ. School of Engineering, Nagoya, JPN)
,
SAWAKI N
(Nagoya Univ. School of Engineering, Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
19
ページ:
2676-2678
発行年:
1993年11月08日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)