文献
J-GLOBAL ID:200902169141474649
整理番号:02A0225978
AlGaN/GaNヘテロ構造への前進境界面Ohm接触の輸送物性
Transport properties of the advancing interface ohmic contact to AlGaN/GaN heterostructures.
著者 (6件):
QIAO D
(Univ. California, California)
,
YU L S
(Univ. California, California)
,
JIA L
(Univ. California, California)
,
ASBECK P M
(Univ. California, California)
,
LAU S S
(Univ. California, California)
,
HAYNES T E
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
80
号:
6
ページ:
992-994
発行年:
2002年02月11日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)